纪志罡个人简介

         纪志罡，国家高层次青年人才，2003/2006/2010年分别获得清华大学电气工程学本科学位，北京大学微电子学与固体电子学硕士学位，以及英国利物浦约翰摩尔斯大学纳米电子器件博士学位。自2010年起在英国利物浦约翰摩尔斯大学电子工程系任教, 与J.F.Zhang教授共同领导器件可靠性实验室。 2014年任比利时欧洲微电子中心访问教授。于2018年起被聘任为Reader，领导微纳电子研究方向 。2020年加盟上海交通大学，担任电子信息与电气工程学院微纳电子学教授，并组建微纳电子器件实验室。

        其研究领域涵盖新型材料和结构的微纳电子器件，可靠性表征及物理模型，电路/器件协同设计，以及新型范式计算等。其研究得到了英国EPSRC，InnovateUK，Newton等多个研究基金会超过150万英镑的支持。此外，其研究也得到了主流工业界的支持，包括比利时欧洲微电子中心（imec），ARM，Intel，MIMOS，Tektronix等。由于其研究所产生的潜在经济价值，获得2017年英国牛顿奖提名。

        迄今为止，其已发表SCI论文及会议论文超过100篇，其中包括14篇专业顶级会议IEDM和VLSI，并应邀为国际学术会议及企业特邀报告10余次。其也是APL, JAP, TED, EDL等14本专业主流杂志的审稿人，并在IPFA，SSDM等国际会议中担任TPC成员。

研究方向：

1. 微纳电子器件

2. 可靠性物理

3. 电路/器件协同可靠性设计

4. 新型范式计算

5. 硬件安全

代表论文: 

1. X. Zhan, C. Shen, Z. Ji, J. Chen, H. Fang, F. Guo and J. Zhang, “A Dual-Point technique for the entire ID-VG characterization into subthreshold region under Random Telegraph Noise condition”, IEEE Electron Dev. Lett. Vol. 40, p674-677, 2019.

2. J. Chen, X. Li, H. Ma, W. Huang, Z. Ji, C. Xia, H. Lu, and D. Zhang, “Investigation of the mechanism for Ohmic contact formation in Ti/Al/Ni/Au contacts to β-Ga2O3 nanobelt fieldeffect transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, Vol. 11, pp.32127-32134, 2019.

3. J. Brown, R. Gao, Z. Ji, J. Chen, J. Wu, J. Zhang, B. Zhou, Q. Shi, J. Crowfold, and W. Zhang, “A low-power and high-speed True Random Number Generator using generated RTN,” in IEEE Symposium on VLSI Technology (VLSI-T), 2018.

4. J. Kang, Z. Yu, L. Wu, Y. Fang, Z. Wang, Y. Cai, Z. Ji, J. Zhang, R. Wang, Y. Yang and R. Huang, “Time-Dependent Variability in RRAM-based Analog Neuromorphic System for Pattern Recognition,” accepted in International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017.

5. R. Gao, Z. Ji, S. M. Hatta, J. F. Zhang, J. Franco, B. Kaczer, W. Zhang, M. Duan, S. De Gendt, D. Linten, G. Groeseneken, J. Bi and M. Liu, “Predictive As-grown-Generation (A-G) model for BTI- induced device/circuit level variations in nanoscale technology nodes,” in International Electron Devices Meeting (IEDM), 2016.