任鹏鹏

任鹏鹏 / 长聘教轨副教授、博士生导师
1方向： 集成电路可靠性设计及EDA技术
电子邮箱：pengpengren@sjtu.edu.cn
办公地点：综合实验大楼2-304室

        2016年博士毕业于北京大学（导师：黄如院士），获得北京市和北京大学优秀毕业生、优秀科研奖等荣誉。2017年加入上海海思技术有限公司，主任工程师，担任上海可靠性设计团队主管，主持研究和开发先进工艺可靠性物理机制、模型及EDA仿真技术、先进工艺可靠性平台和超大规模SOC芯片可靠性设计技术，建立了从工艺开发阶段到芯片量产全流程可靠性设计和保障能力，助力国产14nm以下节点先进工艺，及海思麒麟、巴龙等系列SOC芯片量产，多次获得研发部长奖等荣誉。2019年在鲁汶大学/欧洲微电子中心（IEMC）任访问学者。2021年加入上海交通大学，目前担任微纳电子学系副教授、博士生导师。

        目前主要从事先进工艺器件可靠性机制和模型、模拟及数字集成电路可靠性设计、AI for EDA等方面的研究。在IEDM、VLSI-T、TED、EDL、TCAD、TCAS-II、IRPS等核心会议和期刊上发表文章70余篇，其中IEDM和VLSI-T第一作者文章5篇，申请或授权20项专利，以课题负责人承担国家自然科学基金重大项目、国家重点研发计划，主持阿里巴巴、华为等企业合作开发项目4项，指导学生获得集成电路EDA设计精英挑战赛全国一等奖等奖项，担任华大九天顾问专家，并担任多个会议和期刊审稿人，多项研究成果转移到IMEC、SMIC、海思和Cadence等公司的先进工艺、SOC芯片和EDA技术开发中。

 

研究方向：

  1. 先进工艺器件可靠性机制和模型
  2. 模拟及数字集成电路可靠性设计
  3. 芯片设计自动化技术

 

代表论文：

  1. Wu, P. Ren, et al., “Comprehensive Understanding of Flicker Noise in Advanced FinFET Technology: from Noise Sources Separation to Physical-based Modeling”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023.
  2. Ye, P. Ren, et al., “Fast Aging-Aware Timing Analysis Framework With Temporal-Spatial Graph Neural Network”, IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (TCAD), 2023.
  3. Wu, P. Ren, et al., “A Simple Method for Series Resistance Extraction in Ultrascaled FinFETs Using Flicker Noise”, IEEE Transactions on Electron Devices (TED), 2023.
  4. Ren, et al., “A Strong Physical Unclonable Function with Machine Learning Immunity for Internet of Things Application”, Science China Information Sciences 2023.
  5. Ren, et al., “Towards the Characterization of Full ID-VG Degradation in Transistors for Future Analog Applications”, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2022.

 

1.《半导体器件原理》

2.《电子器件与电路测试课程设计》

微纳电子学系